QLC与TLC闪存固态硬盘有什么区别

2017-08-02 11:25:40文章来源：点点软件园热度：0

　　在这个互联网时代，游戏、电影、照片等数据越来越大，硬盘容量将会面临着前所未有的挑战。虽然传统的机械硬盘可以解决容量问题，但是速度太慢，体验糟糕，并不是最优的个人存储解决方案。更多最新IT资讯尽在金顺软件园http://www.jinshun168.com/

　　我们渴求大容量的SSD，不过超过TB大容量SSD动不动就几千元的售价，对于支付能力有限用户实际上没有意义。SSD的成本主要来源于闪存，在TLC闪存能够实现TB容量可惜价格未能降下来。只有不断开发新类型的闪存，解决容量与价格的矛盾，才能让SSD真正在大数据时代发挥应有作用。

　　这时，QLC 闪存就应运而生，目前，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，即QLC闪存，这也意味着QLC SSD将要来临。那么，它与TLC闪存又有什么区别，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选?

　　先来了解一下什么是TLC 以及QLC闪存?

　　TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell(每个Cell单元储存3个数据，有8个状态，具体如上图，有八种不同电压状态)。主要特点：成本低，容量大，但速度慢，寿命短，约500-1000次擦写寿命。但随着技术的成熟，寿命问题已经得到改善(约1500-2000次擦写寿命)，并成为目前闪存颗粒中的最主流产品。

　　QLC=Quad-Level Cell，即4bit/cell(每个Cell单元储存4个数据，有16个状态，具体如上图，有十六种不同电压状态)。相比于TLC来说，成本比更低，容量更大，而可靠、稳定性及寿命则更差些(此前几年预计的理论可擦写100-150次)，不过目前东芝宣称，他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，几乎已经和TLC闪存旗鼓相当。

　　注：每Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，导致颗粒稳定性越差，寿命低，利弊都有。